SK하이닉스(대표 박정호‧곽노정)가 낸드플래시 메모리의 층을 사상 최대수준인 300층 이상으로 확대한다.
국제 고체회로학회(ISSCC)가 2023년 2월19-23일 미국 샌프란시스코에서 개최될 예정인 가운데 70회 기념을 맞아 약 200건의 차세대 반도체 기술이 공개될 것으로 기대되고 있다.
ISSCC는 초대형집적회로학회(VLSI), 국제전자소자회의(IEDM)와 함께 세계 3대 반도체 학회로 통하며 발표되는 논문 상당수가 반도체 생산기업이 발표한 것으로 이미 개발을 완료했거나 양산을 앞둔 기술이 많아 상용화 가능성이 높다는 점에서 주목받고 있다.
아날로그, 데이터 컨버터, 디지털 아키텍처·시스템, 디지털 서킷, IMMD, RF(무선주파수), 무선, 유선, 메모리 분야에서 총 629건의 논문이 제출됐으며 최종 심사를 거쳐 채택된 논문은 총 198건으로 파악된다.
아시아 채택 논문이 전년대비 30건 증가한 반면, 북미는 30건 감소한 것으로 나타났다.
한국 채택 논문은 삼성전자 8건, UNIST 3건, SK하이닉스 2건을 포함해 총 32건으로 9건 줄었고 59건으로 대폭 증가한 중국에 밀려 3위를 기록했다.
SK하이닉스는 고집적 낸드플래시를 위한 300층 이상의 적층 기술(V낸드) 논문이 소개될 것으로 예상된다.
삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론(Micron Technology) 등은 이미 200단 이상 V낸드를 상용화했으며 적층하는 단을 높일수록 고용량 데이터 저장공간을 확보 가능한 것으로 알려졌다.
이밖에 삼성전자의 지속적인 스케일링에 대비한 보안성과 신뢰성을 향상하는 D램 기술, 고속으로 데이터를 전송하는 인터페이스 기술들이 소개될 예정이다.
총 10건의 논문이 채택된 일본에서는 소니(Sony)가 EVS(이벤트 베이스 비전센서) 출력을 사용해 화질을 향상시킨 3560만화소 이미지 센서를 공개할 예정이다.
르네사스(Renesas Electronics)는 신뢰성과 에너지 효율이 높은 GB 이더넷 접속을 위한 자동차용 시스템 온 칩(SoC)을 선보인다. 12나노미터 프로세스에서 생산해 네트워크 기동시간은 50밀리초 후반을 달성했다.
이밖에 일본은 도쿄(Tokyo)공업대학과 오사카(Osaka)대학 논문이 5건 채택됐다.
타이완 TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing)는 마이크로컨트롤러 혼재용 스핀전달토크형 자기저항 메모리(STT-MRAM)를 공개할 예정이다.
자동차용으로 16나노미터 FinFET 프로세스에서 생산해 섭씨 150도 환경 기준으로 20년 동안 데이터를 유지할 수 있으며 리드 액세스 시간은 영하 40도부터 영상 150도 온도범위 기준 6나노초 이하를 달성했다. (K)