삼성, 10월 50나노 2Gb DDR3 양산
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최대속도 1333Mbps로 DDR2보다 1.6배 빨라 … 생산효율 60% 향상 삼성전자는 10월부터 세계 최초로 50나노급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램 양산에 들어간다고 9월29일 발표했다.50나노 2기가비트 DDR3는 2007년 삼성전자가 개발한 60나노 2기가비트 DDR2 D램의 최대 속도(800Mbps: 초당 800메가비트의 데이터 처리)보다 1.6배 빠른 1333Mbps를 구현할 수 있다. 또 50나노급 공정 덕분에 칩의 크기도 작아져 생산 효율이 60% 이상 향상된다. 50나노급 공정은 반도체 회로와 회로 사이의 폭(회로선폭)이 50나노미터급인 첨단 반도체 제조공정이다. 삼성전자는 50나노급 2기가비트 DDR3 D램 출시를 계기로 PC 시장에서 프리미엄 서버 시장에 이르기까지 앞으로 D램 시장의 주력 제품이 될 DDR3 제품군에서 주도권을 확보하게 될 것으로 내다봤다. <화학저널 2008/09/29> ⓒ 화학경제연구원, 무단 전재·재배포 및 AI 학습 목적의 무단 수집·이용을 금합니다. |
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