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반도체의 미세화 타고 “진화중” 레지스트, ArF 액침형 증가반도체 프로세스의 미세화가 진행됨에 따라 ArF(불화아르곤) 액침형 수요가 늘고 있다. 플래쉬메모리는 32nm, D램은 40nm대 생산비중이 늘고 있어 액침2회/2중노광(Double Patterning) 리소그래피가 주류를 이루고 있다. 액침 탑코트 생산기업 JSR은 최근 선폭 2nm의 반도체 프로세스용 Double Patterning 자기가교형 ArF 레지스트를 개발하고 있다. 제조 프로세스를 간략화함으로써 Double Patterning의 최대 약점인 코스트 문제를 해결해 주목받고 있다. Tokyo Ohka는 2009년 상반기부터 g선(파장 436nm), i선(파장 365nm) 등 첨단 레지스트를 파워 반도체용으로 공급하기 시작해 좋은 반응을 얻고 있다. Double Patterning용으로는 LLE(Litho-Litho-Etching)형 샘플을 글로벌 해외 디바이스 메이저에게 공급하고 있다. Sumitomo Chemical은 Osaka에 신규공장을 건설함으로써 ArF와 ArF 액침 세계시장에서 점유율 30% 달성을 목표로 하고 있다. 낸드플래시 메이저 Toshiba는 2009년 11월 토르크센 유도분체를 이용해 선폭 20nm 회로용 Negative형 저분자 레지스트 개발에 성공해 EUV 프로세스에 적용하면 고분자계보다 미세화나 패턴 형성에 유리할 것으로 기대하고 있다. Mitsubishi Gas Chemical도 방향족 알데히드 기술을 이용해 저분자 레지스트용 소재를 개발한 것으로 알려지고 있다. <화학저널 2010/3/22·29> |
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