하이닉스, 삼성에 30나노 도전장
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2011년부터 양산 목표 … 낸드플래시는 연말부터 26나노 전환 국내 반도체기업들의 30나노 D램 개발경쟁이 치열해지고 있다.하이닉스(대표 권오철)는 2011년부터 38나노 D램과 26나노 낸드플래시(Nand Flash) 양산을 본격화할 방침이다. 하이닉스는 30나노 이하 반도체 양산을 본격화함으로써 7월21일부터 30나노 D램 생산에 돌입한 삼성전자와의 갭을 줄이는 동시에 타이완기업 등 후발주자와는 격차를 줄인다는 생각이다. 하이닉스 권오철 대표는 “38나노 D램 반도체 개발은 2010년 말까지 완료해 2011년에는 본격 양산체제를 갖출 예정이며 낸드플래시는 26나노 개발을 완료해 2010년 말까지 양산체제를 갖출 예정”이라고 전했다. 이와 함께 2010년 초부터 본격 양산을 시작한 44나노 D램 역시 프리미엄 수요처를 중심으로 공급비중을 확대할 계획이다. 권오철 대표는 “현재 생산비중의 38%에 머물고 있는 44나노 D램을 연말까지 50% 이상으로 확대하고, 40%에 달하는 PC용 메모리 시장보다는 고부가제품으로 평가받는 서버 및 그래픽용 메모리 비중을 높여갈 것”이라고 전했다. 한편, 하이닉스는 2010년 2/4분기에 매출 3조2800억원 가운데 D램이 6%, 낸드플래시가 14%, MCP 및 기타 가 80%를 차지했다. <이명주 기자> <화학저널 2010/07/23> ⓒ 화학경제연구원, 무단 전재·재배포 및 AI 학습 목적의 무단 수집·이용을 금합니다. |
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