이황화몰리브덴, 세계 최초 저온합성
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성균관대, 플라즈마 화학기상증착법 활용 … 차세대 전자제품에 적용 화학뉴스 2015.08.20
국내 연구진이 실리콘(Silicone)에 이은 차세대 신소재로 불리는 <이황화몰리브덴(MoS2)> 저온합성 기술을 세계 최초로 개발했다.
성균관대는 기계공학부·나노과학기술원 김태성 교수와 기계공학부 이창구 교수 공동연구팀이 2차원물질인 이황화몰리브덴을 플라스틱 기판에 직접 합성하는 기술을 개발했다고 8월19일 발표했다. 이항화몰리브덴은 그래핀(Graphene)과 함께 대표적인 박막형 2차원 물질로 투명성과 유연성이 높아 실리콘을 대체할 차세대 꿈의 신소재로 불린다. 이황화몰리브덴은 600-100도 정도의 높은 온도에서 주로 합성이 이루어져 플래스틱과 같은 유연한 물질을 기판으로 직접 사용할 수 없고 공정이 복잡한 점이 단점으로 꼽혀왔다. 연구팀은 플라즈마 화학기상증착법을 이용해 플래스틱이 충분히 견딜 수 있는 150도 정도의 환경에서 플래스틱 기판에 이항화몰리브덴을 합성하는데 성공했다. 연구팀은 “신규기술을 통해 저비용으로 기존성능을 충분히 구현할 수 있다”며 “플렉서블(Flexible) 전자소자·기기 및 웨어러블(Wearable) 소자 등 차세대 전자제품에 폭넓게 활용될 수 있다”고 밝혔다. |
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