2001년 1/4분기 전세계 반도체 팹(웨이퍼 가공라인)의 가동률이 최근 2년내 최저치를 기록한 것으로 조사됐다. 미국 반도체산업협회(SIA)가 최근 발표한 통계자료에 따르면, 웨이퍼 가공라인의 1/4분기 가동률은 83.7%로 전분기의 92.8%에 비해 10%포인트 가량 하락한 것으로 것으로 나타났다. 반도체가 불황을 겪었던 1998년 3/4분기 당시의 가동률인 80.8% 이후 가장 낮은 것이다. 국제반도체생산능력통계기구(SICAS) 보고서도 1/4분기 MOS(금속산화물 반도체) 라인의 가동률이 84.2%로 전분기의 93.4%에 비해 하락했으며, 바이폴라반도체 라인의 가동률도 전분기의 87.4%에서 79.6%로 떨어졌다고 밝혔다. 그러나 가동률 하락에도 불구하고 반도체 관련업계는 여전히 MOS 웨이퍼 가공용량을 더 늘리고 있어 문제의 심각성을 더하고 있다. 1/4분기 MOS회로 가공라인의 주당 생산량은 8인치 웨이퍼 기준으로 115만9000개에 달해 전분기의 115만5000개보다 오히려 늘었다. 반면, 바이폴라 반도체 웨이퍼 가공라인은 5인치 웨이퍼 기준으로 주당 29만8900개를 생산해 전분기에 비해 8%가량 줄어든 것으로 나타났다. 시장조사기관인 IC인사이츠는 전체 반도체 웨이퍼 가공라인의 가동률이 2/4분기에 80% 정도로 하락할 것으로 전망했다. 가동률이 2/4분기 혹은 3/4분기까지 70%대까지 떨어져 1998년 불황 당시의 최저치를 경신할 것으로 예상했다. 그러나 반도체제품 출하량이 늘고 새로운 가공라인 증설이 둔화되면서 2001년말까지는 가동률이 80% 후반대로 올라갈 것으로 예상했다. <Chemical Daily News 2001/05/29> |
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