한국과학기술원(KAIST.원장 홍창선) 천진우(화학과) 교수 연구팀은 차세대 반도체와 정보저장 매체로 응용할 수 있는 극미세 나노물질 합성기술 개발에 성공했다고 6월12일 밝혔다. 단전자 충전현상 및 밴드갭 증가와 같은 양자현상은 물질의 크기가 수십 ㎚(1㎚는 10억분의 1m)일 때 일어나고 이는 차세대 트랜지스터와 광소자의 근본원리로 응용되는데 기존의 물리적 제어기술로는 30㎚보다 작은 물질에 대한 대량합성과 크기 조절이 어려웠다. 그러나 연구팀은 분자화학적 설계방법을 통해 10㎚ 크기의 막대 형태를 갖는 새로운 극미세 반도체 나노입자를 대량 합성하는 방법을 개발했으며, 특히 기존의 나노입자가 대부분 구(球)형태로 합성된 것과는 달리 막대를 골격으로 한 새로운 형태의 반도체 입자들을 얻을 수 있다는 사실을 밝혀냈다. 연구팀은 입자들이 특이한 광학적, 전기적 특성을 갖기 때문에 차세대 나노테크놀로지(NT)와 정보기술(IT)의 핵심물질로 사용될 것으로 기대하고 있다. 이와 함께 10㎚ 이하의 극미세 `코어쉘'(core-shell) 합금구조를 갖는 코발트-플래티늄 자성 나노입자의 합성법도 개발했다. 이를 정보저장 단위(비트)로 사용하면 테라(10의12제곱)급 이상의 기록밀도를 갖는 차세대 기억저장 매체로 사용할 수 있을 것으로 보고 있다. 천진우 교수팀의 연구결과는 5월30일 미국의 화학학술지 JACS에 발표됐다. 한편, 천진우 교수는 과학기술부 `21세기 프론티어 연구개발 사업'의 일환으로 발족된 테라급 나노소자 개발사업단의 `양자점형성 기술개발과제' 공동 연구책임자로 참여하고 있다. <Chemical Daily News 2001/06/13> |
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