차세대 메모리 연구개발 본격화
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산ㆍ학ㆍ연 연구센터 출범 … 삼성ㆍ하이닉스 STT-MRAM 개발 참여 산ㆍ관ㆍ학이 공동으로 차세대 메모리 주력제품으로 떠오르고 있는 STT-MRAM(Spin Transfer Torque -Magnetic Random Access Memory)을 개발할 연구센터가 문을 열고 개발에 착수했다.지식경제부는 11월26일 서울 한양대학교에서 관련인사 150여명이 참석한 가운데 차세대 메모리 공동연구센터 개소식을 가졌다고 발표했다. 정부와 삼성전자, 하이닉스가 공동 출연해 마련된 공동연구센터는 차세대 메모리 STT-MRAM에 대한 연구·개발(R&D)을 진행하게 된다. 특히, 연구센터에는 대학으로는 세계에서 2번째로 300mm급 반도체 장비가 구축됐으며 대학 연구 인력뿐만 아니라 삼성전자와 하이닉스의 연구진이 상주해 공동 R&D 작업을 수행하게 된다. 연구센터는 R&D 작업을 통해 원천기술 분야에서 일본과의 격차를 줄이고 STT-MRAM을 개발하는 것을 목표로 하고 있다. 지경부 관계자는 “세계 최고의 공정기술을 바탕으로 1993년 이후 메모리 반도체 세계 1위를 차지하고 있으나 핵심 소자구조 등 원천기술은 해외에 의존하고 있어 차세대 메모리의 원천기술을 확보하면 R&D 중심기지로 도약이 가능할 것”이라고 전망했다. <화학저널 2009/11/26> |
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