BASF, 반도체용 구리 증착기술 개발
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BASF가 반도체 칩 제조기술 역사에 큰 획을 그을 첨단 구리 증착기술을 개발했다. 2007년 6월부터 IBM과의 협력을 통해 개발한 혁신적인 화학 솔루션의 성능을 대폭 개선했으며 관련기술 및 화학약품, 소재들은 2010년 중반부터 상용화될 전망이다. 전자재료사업부의 개발이사 Dieter Maye 박사는 “구리 박막 증착 매커니즘에 대한 이해를 바탕으로 새로운 접근법을 시도함으로써 분자 첨가 시스템을 고안했다”며 “양사의 풍부한 자원을 바탕으로 구리 도금기술의 난관을 극복했고, 칩의 소형화와 처리속도 증진, 신뢰도 향상에 한 발 다가섰다”고 설명했다. 첨단 구리증착공정의 성패는 도체선(Conductor Lines)의 무결점화에 좌우되는데 전통적인 구리 도금방식인 균등식 충전법(Conformal Fill)은 상부, 하부, 측면에 균일하게 구리를 증착시킴에 따라 틈과 결함이 발생했다. 이에 BASF는 슈퍼필(Superfill)로 알려진 급속 충진기법을 통해 작은 트렌치도 구리로 충전시킴으로써 무결점 선을 완성시켰으며, 구리 증착율은 상부와 측면에서 보다 하부에서 높게 나타나는 것으로 확인됐다. 구리 배선은 칩의 성능을 대폭 개선시키며, 전도성이 높은 금속의 증착은 다층배선을 만드는데 핵심적인 공정으로 알려졌다. 최첨단 칩 기술은 32나노미터(㎚) 공정기술이며, 22나노미터 초미세화 공정은 2011년 차세대 기술로 부각될 전망이다. <화학저널 2010/5/10·17> |
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