삼성전자와 SK하이닉스는 2015년에도 25나노D램 공정에 주력할 방침인 것으로 알려졌다.
20나노 공정이 안정화 단계에 접어들지 않은 상황에서 Micron Technology 등 후발 주자들과 기술력 격차가 유지되고 있기 때문에 무리할 필요가 없다고 판단했기 때문이다.
최주선 삼성전자 메모리 사업 부문 D램 개발실장(전무)은 11월13일 서울 양재동 엘타워에서 개최된 2014 대한민국 기술대상 시상식 이후 기자간담회에서 “2015년 20나노 D램 생산량을 늘릴 계획이지만 전체 생산량은 25나노를 넘어서지 않을 것”이라고 밝혔다.
삼성전자가 2014년 20나노 D램 대량 생산에 성공한 이후 서버, PC, 모바일 등 모든 부문에 적용되기 시작하면서 생산성이 크게 향상될 것이라는 전망이 많았지만 비중은 아직 높지 않은 상태이다.
D램익스체인지에 따르면, 삼성전자의 20나노 D램 비중은 2014년 4/4분기 기준 2%대에 불과하다.
SK하이닉스는 2015년부터 25나노 D램 생산량이 2014년 주력제품이었던 29나노를 넘어설 것으로 예상되고 있다.
SK하이닉스의 25나노 공정은 2015년 1/4분기 전체 D램의 79%에 달할 것으로 예상되는 반면 29나노는 하반기 이후 1자릿수 수준으로 비중이 감소할 것으로 전망됐다.
반도체 시장에서는 2015년 D램 시장에서 상위 3사의 기술력이 상향평준화될 것으로 예상하고 있다.
반도체 관계자는 “삼성전자의 20나노 D램 생산량이 아직 기대에 미치지 못하고 있다”며 “반면 SK하이닉스와 Micron은 25나노 비중을 늘리는 동시에 2015년 상반기부터 20나노에 진입해 기술력 격차가 크게 줄어들 것”이라고 주장했다.