불휘발성 메모리 요구 증가 … DRAM·Flash Memory 잠식 증가 메모리 시장에서 주력제품이던 DRAM의 위상이 점차 약화됨에 따라 포스트 DRAM 시대의 도래 가능성이 제기되고 있다. 1970년대 초고밀도집적회로(VLSI)의 발명 이후 DRAM을 비롯한 반도체는 기술발전을 이루어 왔으며, 특히 미세화 기술에 따른 DRAM의 급속한 집적도 향상으로 인해 DRAM은 반도체 기술 혁신의 첨병으로 자리잡았다. DRAM은 반도체 제조공정 혁신에 따른 지속적인 집적도 향상으로 가장 저렴한 Bit당 단가를 형성할 수 있었고, 이에 따라 PC의 메인메모리 등으로 널리 쓰이며 메모리 반도체(이하 메모리)시장에서 주력 제품으로 자리잡았다. 그러나 최근에는 전원이 꺼져도 정보가 남아있는 불휘발성 메모리인 Flash 메모리의 시장 확대가 두드러지면서 DRAM 위주의 메모리 시장에 변화가 일고 있다. 1999년까지 메모리 시장의 65%-70%를 차지하며 주력 제품의 지위를 지켜온 DRAM은 2000년 이후 Flash 메모리의 추격을 받으며 점차 그 위상이 흔들리고 있다. 2001년 DRAM 시장이 극심한 불황을 겪으며 2000년에 비해 약 57%의 마이너스 성장을 보인 반면, Flash 메모리 시장은 2000년에 비해 135%의 높은 성장을 보였으며 2001년에도 2000년에 비해 6.6%의 소폭 하락에 그쳤다. 그 결과 2001년 메모리 시장에서는 DRAM과 Flash 메모리가 각각 45%와 42%로 거의 대등한 비중을 차지한 것으로 추정된다. 물론 2001년 DRAM의 비중이 45%로 저하된 것은 DRAM 부문의 가격하락 폭이 상대적으로 컸기 때문이기도 하다. 가격회복이 예상되는 2002년에는 DRAM의 비중이 증가할 가능성도 제기되고 있으나 DRAM의 주 수요처인 PC 시장이 이미 성숙기에 진입하고 있어, 가격회복 이후에도 DRAM이 메모리 시장에서 과거와 같은 비중을 유지하기는 힘들 전망이다. 이에 따라 2001년 이후 메모리 시장은 DRAM과 Flash 메모리 양자 구도로 발전할 것으로 보인다. 특히, 최근 디지털화 가속에 따라 Flash 메모리가 주로 사용되는 모바일 기기 및 디지털가전 시장의 성장이 두드러지고 있어 Flash 메모리의 수요 확대는 당분간 지속될 전망이다. DRAM 중심의 메모리 시장 지위가 약화되고 Post DRAM 시대를 준비해야 하는 배경으로는 첫째, 불휘발성(non-volatile) 기억장치 메모리의 요구 확대를 들 수 있다. 대표적인 휘발성 메모리인 DRAM은 공정기술의 발달을 기반으로 칩 사이즈의 축소와 Bit당 메모리 가격 하락을 지속적으로 이끌어 내고 있다. 그러나 DRAM은 휘발성이라는 근본적인 한계를 가지고 있다. PC는 OS나 애플리케이션 S/W를 HDD(Hard Disk Drive)에 저장하면 되지만, 모바일 기기는 크기나 동작속도 특성 때문에 HDD를 메인메모리로 쓸 수 없기 때문이다. 따라서 다양한 디지털 제품의 효과적인 성능 구현을 위해서는 저가격, 고속동작, 작은 칩 사이즈 이외에 ‘불휘발성’이라는 특성을 갖춘 메모리가 필요한데, 현재까지 이런 요건에 적합한 메모리는 Flash 메모리밖에 없다. 이에 따라 DRAM에 비해 높은 Bit당 가격 및 성능 등의 단점에도 불구하고 불휘발성의 특성을 충족시키고 있는 Flash 메모리의 수요가 점차 증가하고 있는 것이다. 더욱이 모바일 기기 및 디지털가전의 성능 향상이 더욱 가속된다면 지금의 Flash 메모리만으로도 부족할 것으로 예상된다. 즉, 칩 사이즈와 Bit당 단가, 속도 등에서 Flash 메모리를 능가하는 차세대 불휘발성 메모리의 출현이 요구되고 있는 것이다. 만약 가격과 속도 및 여타 성능 면에서 충분한 경쟁력을 갖춘 차세대 불휘발성 메모리가 제품화된다면 Flash 메모리는 물론, DRAM 시장마저 잠식될 가능성이 큰 것으로 나타나고 있다. 아울러 반도체 소자의 지속적인 미세화를 통해 용량확대, Bit당 단가 하락 등을 가능하게 했던 기존 반도체 제조공정 기술의 발전이 점차 한계에 다다르고 있다는 점도 제기되고 있다. 대체로 회로선폭 0.1㎛ 이후의 미세화는 현재의 공정기술로 도달하기가 어려울 것으로 알려지고 있는데, 이미 메모리 제조와 관련된 회로선폭은 0.13㎛에 도달한 상태로 신기술, 신재료를 이용한 차세대 메모리의 출현이 요구되고 있다. <Chemical Daily News 2002/02/18> |
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