실리콘 2중막 16MD램 개발
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삼성전자에서 차세대 소재인 실리콘 2중막 웨이퍼(SOI)를 이용한 16MD램 완전동작 시제품을 세계최초로 개발했다.이 SOI기술은 제품의 고집적화와 저전압화가 가능해 차세대 메모리 반도체의 핵심기술로서 삼성은 20여건의 국내외 특허를 출원해 놓은 상태다. 이 제품이 개발됨으로써 기존의 실리콘웨이퍼에서 보다 간단한 구조의 고집적 메모리제품을 개발할 수 있게 됐다. 삼성은 오는 6월 일본에서 열리는 반도체학회(VLSI Sym- posium)에 이 기술과 16MD램 칩을 발표할 예정이다. <화학저널 1995/5/15> ⓒ 화학경제연구원, 무단 전재·재배포 및 AI 학습 목적의 무단 수집·이용을 금합니다. |
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