P램, 포스트 DRAM으로 뜬다!
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특허청, 플래시 메모리 대체 인기 … 특허 출원도 급증추세 차세대 메모리로 각광받고 있는 P램(Phase-Change RAM: 상변화 메모리)에 대한 특허 출원이 급증하고 있고 기술개발도 활발히 진행되는 것으로 나타났다.P램은 일반화돼 있는 DRAM의 소형화가 더이상 진보되기 어려울 것이라는 전망과 맞물려 포스트 DRAM 시대를 이끌어갈 메모리로 주목받고 있다. P램의 데이터 저장방식은 일반 DRAM과 달리 온도변화에 따른 물질의 상변화(결정 또는 비결정 상태)를 이용해 데이터를 저장하는 것이 특징으로, 전류에 의해 발생하는 열을 이용해 물질의 상변화를 유도하고 그 가운데 결정상태를 0, 비결정(Amorphose)상태를 1에 대응시켜 디지털 데이터를 저장하는 것이다. 특히, P램은 전원이 차단되어도 데이터를 보존할 수 있고 고집적이 가능하다는 장점 때문에 현재 개인용 컴퓨터(PC)는 물론 개인휴대단말기(PDA), 핸드폰, MP3 플레이어 등에 널리 사용되고 있는 플래시메모리를 급격히 대체할 것으로 예상되고 있다.
출원건수가 급증하는 것은 P램이 기존의 반도체 제조설비를 이용해 양산할 수 있고, 또한 이미 거대시장을 형성하고 있는 플래시 메모리를 대체할 수 있다는 장점을 지니고 있어 상업적 성공이 비교적 용이하다는 판단 아래 세계 메이저들이 앞다투어 기술개발에 나서고 있기 때문으로 분석된다.
특허청은 P램이 휴대정보기기의 대용량화 및 초고속 통신 서비스에 대한 요구를 충족시키는 최적의 메모리로 인정받고 있어 세계시장 선점을 위한 세계 주요 메이커의 기술개발 경쟁이 더욱 치열해지고 특허 출원 또한 지속적으로 증가할 것으로 예상하고 있다. 표, 그래프: | 상변화 메모리(Phase-Change RAM) 관련특허 출원현황 | 메모리의 특성 비교 | <화학저널 2004/12/17> |
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