3mW급 380nm 자외선 LED 개발
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한국광기술원 연구진에 의해 국내 최초로 … 환경ㆍ바이오 등에 활용 3mW급 380nm 자외선 LED 칩이 국내 최초로 개발됐다.산업자원부에 따르면, 반도체조명용 백색 LED(발광다이오드) 제작에 응용되는 3mW급 380nm 자외선 LED 칩이 한국광기술원 연구진에 의해 국내 최초로 개발됐다. 개발된 자외선 LED의 성능은 세계 최고 기술을 보유한 일본기업의 상용 LED와 비슷한 출력을 갖고 있어 위폐감지기 등에 활용이 가능하다. 또한 20mW급 380nm 자외선 LED 개발이 완료되는 2008년에는 반도체 조명산업과 의료ㆍ환경산업 등에 활용돼 10억달러 이상의 수입대체 효과를 가져올 것으로 기대되고 있다. 산자부 관계자는 “자외선 LED는 400nm 미만의 파장을 갖는 질화물계 재료를 이용한 발광다이오드로 위폐감지기, 살균기, 공기 및 수질 정화기, DNA 검출기 등 의료ㆍ환경ㆍ바이오산업에 활용이 가능한 미래 유망제품”이라고 밝혔다. 자외선 LED는 알루미늄 첨가에 따른 양자효율 저하와 소자 내부의 광흡수 손실을 줄이기 위한 박막성장법이 핵심기술로 현재 세계적으로도 개발이 미진한 상황이다. 국내에서는 삼성종합기술원과 LG전자기술원, 에피밸리 등이 백색 조명용 405nm 청자색 LED를 개발중이나 400nm 이하의 자외선 LED 개발은 처음인 것으로 알려졌다. 자외선 LED는 한국광기술원 LED사업단 백종협박사팀이 산자부의 지역산업 중기거점 기술개발 사업비를 지원받아 개발에 성공했으며 개발과 관련한 특허 3건이 출원됐고 6개의 특허가 출원 신청중이다. (서울=연합뉴스 김현준 기자) <저작권자(c)연합뉴스-무단전재ㆍ재배포 금지> <화학저널 2006/03/08> |
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