하이닉스, 반도체 설비투자 2조원
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50nm에서 40nm라인으로 전환 … 낸드플래시는 40nm에서 30nm로 하이닉스가 2조원에 달하는 반도체 설비투자 계획을 발표함에 따라 소문만 무성하던 반도체기업들의 투자가 본격화할 전망이다.하이닉스는 2010년 2조3000억원을 투자해 반도체라인을 미세공정으로 전환한다고 12월24일 발표했다. 2008년 전체 매출액의 35%에 해당하는 금액으로 D램 반도체 40㎚ 공정으로 전환하는 동시에 낸드플래시 메모리 생산량 증대를 계획하고 있다. 하이닉스 관계자는 “기존 공정의 미세화 차원에서 진행되는 것으로 신증설 및 증설로는 보기 어렵다”며 “D-Ram 반도체 공정은 50nm에서 40nm 라인으로 낸드플래시 공정은 40nm에서 30nm 라인으로 가기 위한 장비 및 R&D 투자”라고 전했다. 하이닉스는 2010년 상반기에는 30nm 낸드플래시 반도체를 양산할 계획이며, 2010년 말까지 생산능력을 현재 5만장에서 8만장까지 늘린다는 계획이다. D-Ram 공정은 이미 개발이 완료됐으며 2010년 1/4분기부터 본격적으로 양산에 들어갈 것으로 예상되고 있다. <이명주 기자> <화학저널 2009/12/24> ⓒ 화학경제연구원, 무단 전재·재배포 및 AI 학습 목적의 무단 수집·이용을 금합니다. |
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