플래시메모리, 하드디스크 위협
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특허청, 2000년대 들어 특허출원 급증 … 사용대상 급속 확대 최근 플래시 메모리 관련된 특허출원이 급격히 증가하고 있다.플래시 메모리는 D램과는 달리 전원이 차단되어도 저장된 정보가 소멸되지 않고 유지되는 특징을 가지고 있어 디지털 카메라, MP3 플레이어, 휴대폰 등에 주로 사용되고 있으며, 최근에는 기술이 발달함에 따라 플래시 메모리의 용량이 큰 폭으로 증가해 사용대상이 확대되고 있다. 특허청에 따르면, 플래시 메모리의 용량은 1999년 256메가비트 낸드 플래시2 개발에 이어 매년 2배씩 늘어나 2005년에는 256메가의 64배인 16기가비트 낸드 플래시 메모리가 개발됐고, 곧 하드디스크를 대체할 수 있을 것으로 예상된다. 하드디스크와 비교한 플래시 메모리의 장점은 진동, 충격으로부터 데이터를 보호할 수 있고, 전력 소모가 적어 사용시간이 늘어나며, 크기가 작아 다양한 제품에 적용이 가능하다. 이에 따라 특허 출원건수도 대폭 증가하고 있다. 플래시 메모리 기술의 국내특허 출원은 2003년 전년대비 106% 증가한 것을 비롯해 2000년 122건에서 2001년 149건, 2002년 183건, 2003년 377건으로 급격히 증가하고 있다. 최근 셋탑박스, GPS, PDA 및 다양한 디지털기기에서 플래시 메모리의 수요가 증가하고 있어 2007년에는 낸드 플래시 메모리의 시장규모가 109억달러로 65%의 성장이 예상되고 있기 때문이다. 현재 낸드 플래시 메모리 분야에서 삼성전자가 세계시장의 60%를 차지하여 선두자리를 지키고 있고, 일본 Toshiba가 28%로 2위를 달리고 있다.
플래시 메모리의 구조는 트랜지스터 셀이 병렬로 배치된 노어(NOR)형 구조와 직렬로 배치된 낸드(NAND)형 구조로 나눌 수 있는데, 노어형 플래시 메모리(NOR Flash Memory)는 임의의 셀을 순서에 관계없이 고속으로 읽을 수 있으며, 주변회로가 간단해지는 장점이 있다. 다만, 낸드형 플래시 메모리에 비해 셀 면적이 커지는 단점이 있다. 노어형은 일본 Fujitsu와 Intel이 주도하고 있다. 낸드형 플래시 메모리(NAND Flash Memory는 먼저 읽고자 하는 셀 블록이 선택되고 난 후 읽기동작이 순서적으로 이루어지는 방식으로 데이터를 읽는 속도가 느리다는 단점이 있다. 반면, 셀 면적이 작아 고집적에 유리하다. 낸드형은 도시바와 삼성전자가 주도하고 있는데 저가격, 대용량을 겨냥한 낸드 플래시가 상용화돼 시장이 급성장하고 있다. 표, 그래프: | 플래시 메모리 관련기술의 특허 출원동향 | <화학저널 2005/11/24> |
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