세계 최소 나노전자소자 개발
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KAIST 최양규 교수팀ㆍ나노종합팹센터 공동 성과 거두어 세계에서 가장 작은 크기의 나노전자소자가 국내 연구진에 의해 개발됐다.한국과학기술원(KAIST) 최양규 교수팀과 나노종합팹센터는 테라급 차세대 반도체소자에 적용이 가능한 새로운 구조의 3차원 3㎚급 나노전자소자(FinFET)를 공동개발하는데 성공했다고 발표했다. 3㎚는 성인 머리카락 굵기의 4만분의 1에 해당되는 크기이다. 현재까지 발표된 세계에서 가장 작은 소자는 2003년 12월 일본 NEC가 국제전자소자회의(IEDM)에서 발표한 4㎚ 소자로 알려져 있다. 연구팀은 “그러나 누설전류가 크고 동작시 충분한 전류를 얻지 못하는 등 만족스러운 소자 특성을 갖추지 못했다”며 “최양규 교수팀과 나노종합팸센터가 공동개발한 나노전자소자는 게이트가 채널의 전면을 감싸고 있 는 3차원 구조로 NEC의 4㎚ 소자에 비해 크기가 작을 뿐만 아니라 단채널 효과가 크게 개선된 결과를 얻었다”고 덧붙였다. 나노소자는 프로세서나 테라급 DRAM, SRAM, 플래시 메모리 소자로 응용이 가능하며 휴대인터넷, 동영상 회의, 입는 컴퓨터 등의 차세대 정보처리 기기의 필수부품으로 사용될 수 있을 것으로 연구팀은 전망했다. 예를 들어 컴퓨터의 두뇌에 해당되는 마이크로프로세서에 나노소자를 적용하면 처리속도가 현재보다 25배 가량 빠른 100㎓를 넘을 수 있을 것으로 예상했다. 최양규 교수는 “연구성과는 기존 실리콘 반도체기술의 한계를 한 단계 진전시킨 것”이라며 “특히 탄소나노튜브나 분자소자 등과 같은 신소재를 사용하지 않고 실리콘 기술만으로 5㎚급 소자를 구현함으로써 무어의 법칙이 20년이상 계속 유지될 수 있다는 가능성을 제시했다”고 강조했다. (서울=연합뉴스) <저작권자(c)연합뉴스-무단전재ㆍ재배포 금지> <화학저널 2006/03/15> |
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