ALD, 국내기업 기술수준 “월등”
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특허청, 관련기술 특허 출원 급증추세 … 2004년 274건 달해 고집적 나노급 반도체 제조를 위해 기존 기술의 한계를 뛰어넘는 원자층 증착기술에 관한 특허출원이 급증하고 있는 것으로 나타났다.특허청에 따르면, 원자층 증착기술(ALD: Atomic Layer Deposition)에 관한 특허출원은 1998년 32건에 불과하던 것이 2000년 88건으로 증가하기 시작해 2004년에는 274건에 이르는 등 최근 4-5년 사이에 폭발적으로 증가하고 있다.
국내기업에 의해 최근에 출원된 기술들은 공정온도를 더욱 낮추어 증착막의 순도가 높을 뿐만 아니라 대구경 웨이퍼 여러 장을 동시에 처리할 수 있는 것들이어서 반도체 제품의 수율을 획기적으로 높이고 생산단가를 낮추는데 큰 효과를 갖는 것으로 평가되고 있다. ALD는 웨이퍼 표면에 원자층을 1층씩 쌓는 방식으로 박막을 증착시키는 첨단 증착기술로서수 Å단위의 극히 얇은 막을 증착시킬 수 있을 뿐만 아니라 공정사이클 횟수 조절을 통해 막 두께를 정밀하게 제어할 수 있으며 깊이에 비해 폭이 매우 좁은 트랜치나 홀의 바닥과 벽면에도 균일한 두께로 박막을 증착시킬 수 있는 것이 장점이다. 이에 따라 기존의 물리증착기술(PVD)과 화학증착기술(CVD)이 막 두께에 비해 회로선폭이 좁은 고집적 나노급 반도체에 적용하기 곤란하다는 한계를 극복한 것으로 평가받고 있다. 산업컨설팅 기업인 NanoMarkets에 따르면, ALD 관련 기술은 박막 인쇄기술을 포함한 다른 박막기술과 함께 디스플레이장치, 광전지, 배터리, 각종 센서, 저장장치 등의 다양한 응용분야에 쉽게 활용될 수 있으며, 2011년에는 ALD 응용분야의 세계 시장규모가 155억달러에 이를 것으로 예상되고 있다. 표, 그래프: | ALD 관련 기술특허 출원동향 | <화학저널 2006/05/04> |
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