UNIST, 서로 다른 박막면에 새로운 층 형성 … 메모리 성능향상 연구
화학뉴스 2015.11.19
국내 연구진이 그래핀(Graphene) 산화물 전기저항 변화의 원인을 규명했다.울산과학기술원(UNIST)은 절연체인 그래핀 산화물의 전기저항이 낮아져 전류가 흐르는 이유를 밝혀냈다고 11월19일 발표했다. 그래핀 산화물은 전기저항이 큰 상태에서 작은 상태로 변화하는 특성이 있어 저항변화 메모리의 절연체로 활용하는 연구가 활발하게 진행되고 있으나 그래핀 산화물이 저항변화 특성을 지니고 있는 이유에 대해서는 지금까지 명확하게 규명되지 않았다. UNIST 연구지원본부 정후영 교수와 KAIST 이정용·최성율 교수팀은 전기저항이 다른 2개의 소자를 투과전자현미경으로 관찰해 금속 전극으로 활용된 알루미늄과 그래핀 산화물 박막이 맞닿은 면에 수 나노미터 수준의 새로운 산화물 층이 만들어지는 장면을 확인한 것으로 알려졌다. 산화물 층에 외부전압을 가하면 해당 층에 알루미늄 금속결정이 생성됐다. 연구진은 “알루미늄 결정은 피뢰침처럼 뾰족하게 생성돼 전류가 흐를 수 있도록 길을 여는 역할을 한다”며 “메모리 소자 구조의 효율적 설계나 집적도를 향상시키는 후속 연구가 가능해질 것”이라고 밝혔다. 연구는 한국연구재단(NRF)의 일반연구자지원사업, IBS(기초과학연구원) 나노물질 및 화학반응 연구단, 미래창조과학부 나노기반 소프트일렉트로닉스 연구단의 지원으로 수행됐으며, 연구결과는 <Advanced Functional Materials>에 게재됐다. <화학저널 2015/11/19> |
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