비휘발성 메모리 소자 제조공정 개발
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국민대, 고분자ㆍ금속나노입자 다층박막 구조 … 층상 자기조립법 사용 국내 연구진이 메모리저장 영역이 고분자와 금속나노입자의 다층박막 구조로 돼있어 저장능력과 성능을 획기적으로 개선할 수 있는 비휘발성 메모리 소자 제조공정을 개발했다.국민대 자기조립소재공정연구센터 조진한ㆍ이장식 교수팀은 12월3일 나노과학 학술지 Nature Nanotechnology 온라인판에서 고분자ㆍ금속나노입자의 다층박막 구조를 가진 플래시메모리 소자를 자기조립법으로 제조하는 공정을 개발했다고 발표했다. 또 연구를 통해 다층박막 구조의 비휘발성 메모리 소자를 자기조립법으로 만들면 저장능력을 획기적으로 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라 제조공정에서 나노입자의 크기나 용액의 특성 등을 통해 소자의 성능을 손쉽게 제어할 수 있다는 사실도 확인했다. 연구진이 만든 플래시 메모리소자는 기존의 소자가 단일층 구조로 돼 있는 것과 달리 실리콘 웨이퍼 위에 수나노미터(1㎚=10억분의1ｍ) 두께의 고분자층과 금속(금 또는 백금) 나노입자층이 번갈아 쌓여 있는 다층박막 구조로 돼 있다. 연구진이 다층박막 구조를 만드는 데 사용한 방법은 수용액 상태에서 고분자절연체와 금속 나노입자들이 정전기적 인력에 의해 수직으로 층을 이루며 쌓이는 층상 자기조립법이다. 연구진은 층상 자기조립법은 기존 단일층 메모리소자 제조공정보다 단순하고 메모리 저장 역할을 하는 금속 나노입자의 밀도를 용액의 산성도(pH)나 나노입자 크기 등을 통해 조절할 수 있어 소자의 저장능력과 전기적 성질 등을 쉽게 제어할 수 있다고 밝혔다. 조진한 교수는 “연구는 새로운 개념의 반도체 제조공정을 도입함으로써 보다 집적도 높은 반도체 메모리소자를 개발하는 데 중요한 원천기술을 제공할 뿐만 아니라 다양한 전기ㆍ전자 소자와 바이오센서 등에도 적용될 수 있을 것”이라고 말했다. <화학저널 2007/12/03> |
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