ReRAM, 비휘발성 기술 “급부상”
|
특허청, 2003년 이후 특허출원 급증 … 삼성ㆍ하이닉스 기술개발 협력 저항성메모리(ReRAM)가 플래시메모리를 대체할 새로운 차세대 비휘발성 메모리 기술로 급속히 부상하고 있다.저항성메모리는 메모리 셀의 박막형태로 구현되는 저항성 물질에 전기적 신호를 인가해 해당물질의 저항을 변화시킴으로써 데이터를 기록하는 비휘발성 메모리 기술이며, 플래시메모리는 컴퓨터 및 PDA 등 데이터 저장장치에서 사용되는 DRAM, USB 메모리에 탑재돼 사용자의 휴대성을 제공하며 일상생활의 필수품으로 자리매기고 있다.
차세대 비휘발성메모리 기술은 자기메모리(MRAM), 강유전체메모리(FeRAM), 상변화메모리(PRAM), 저항성메모리(ReRAM) 등이 있다. 특히, 상변화메모리가 상용화에 가장 근접한 차세대 비휘발성메모리 기술로 평가돼 왔으나 집적도를 크게 향상시키기 어려운 문제로, 최근에는 단순한 메모리 셀 구조에 의해 집적도를 크게 높일 수 있는 저항성메모리(ReRAM) 기술이 새로운 대안으로 급속히 부상하고 있다. 특허청에 따르면, 저항성 메모리 관련 특허출원은 2003년 6건에서 2004년 13건, 2005년 41건, 2006년 46건, 2007년 60건의 가파른 증가추세를 보이고 있다. 특히, 2003년까지 내국인에 의한 특허출원이 전혀 없었으나, 2007년 40건(67%) 출원됨으로써 저항성메모리 관련 국내 연구가 세계를 선도하는 기술 수준으로 부상하고 있다. 원천기술 확보가 미흡했던 DRAM, 플래시메모리 등의 기존 메모리 분야보다 2006년 내국인에 의해 출원된 34건의 저항성메모리 관련 특허출원의 80%에 달하는 27건이 원천기술과 관련된 것으로 나타났다. 특허청 관계자는 “2004년부터 정부가 차세대 테라바이트급 비휘발성 메모리의 원천기술 확보를 위해 적극 지원에 나섰다”며 “삼성전자와 하이닉스반도체가 차세대 비휘발성 메모리 사업단과의 협약식을 통해 차세대 비휘발성메모리 분야의 기술개발에서도 적극적인 산ㆍ학ㆍ연 공조체제를 갖추기로 함에 따라 국내 연구진에 의한 관련 특허출원은 더욱 증가할 것”이라고 예상했다. <김 은 기자> 표, 그래프: | 저항성 메모리 관련 특허출원 동향 | <화학저널 2008/5/8> |
||||||||||||||||
한줄의견
관련뉴스
| 제목 | 날짜 | 첨부 | 스크랩 |
|---|---|---|---|
| [자동차소재] 폴더블 비휘발성 메모리소자 개발 | 2014-04-21 | ||
| [반도체소재] 태양전지, 비휘발성 유기분자 개발 | 2013-10-24 | ||
| [반도체소재] 휘어지는 비휘발성 메모리 개발 | 2011-11-08 | ||
| [기술/특허] 그래핀 활용 비휘발성 메모리 개발 | 2011-08-31 | ||
| [반도체소재] 비휘발성 메모리 소자 제조공정 개발 | 2007-12-03 |
