삼성전자, 40나노 D램 시장 선도
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인텔, 단품 채용평가 완료 … 생산효율 향상에 저전력ㆍ저전압 실현 삼성전자가 세계 최초로 40나노급 공정을 적용한 DDR2 D램 제품을 개발했다.2005년 60나노급 D램 개발에 이어 2006년 50나노급, 2009년에는 40나노급 D램 개발에 성공함으로써 삼성전자는 원가경쟁력 확보는 물론 최근 중점과제로 부상하고 있는 친환경성을 향상시켰다. 40나노급 DDR2 제품은 D램 공급기업 가운데 유일하게 2008년 12월 인텔에 단품 채용평가를 완료했으며, 2009년 1월에는 1GB DDR2 SoDIMM 모듈에 대한 채용평가도 완료했다.
40나노급 2G DDR3 D램은 2008년 9월 양산을 시작한 50나노 2Gb DDR3 D램 대비 생산성을 약 60% 향상시킬 수 있어 현재 50-60 나노급 D램에 비해 제조경쟁력의 격차를 1-2년 이상 확대시킬 것으로 전망된다. 또 40나노급은 50나노급 D램보다 칩 면적이 작아 생산성 향상은 물론 저전력ㆍ저전압 특성을 강화할 수 있는 1.2V 동작이 가능한 것으로 알려졌다. 따라서 기존 50나노급 1.5V D램 대비 약 30% 이상 전력소비를 감소할 수 있어 전력 소비가 많은 수요처에서 채용이 기대되고 있다. 삼성전자는 40나노급 D램시장을 선점함으로써 친환경 특성을 강화한 고부가가치 D램 시장의 포문을 열고, 향후 DDR4 등 초고속 스피드를 구현하는 차세대 고용량ㆍ고성능 제품을 개발해 세계 시장을 선도해나갈 방침이다. <고우리 기자> <화학저널 2009/2/5> |
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