화학뉴스

차세대 메모리반도체에 대한 특허 출원건수가 지속적으로 증가하고 있다.
특허청에 따르면, 2009년 P램(상변화 메모리), STT-M램(자기 메모리), Re램(저항변화 메모리)의 특허 출원이 2004년에 비해 2배 이상 증가했다.
특히, P램의 출원량이 많았고 STT-M램과 Re램의 출원 증가세가 두드러진 것으로 나타났다.
P램은 물질의 상 변화를 이용해 데이터를 저장하고 STT-M램은 자성체의 자기 변화를 이용해 데이터를 저장하며, Re램은 물질의 저항 변화를 이용해 데이터를 저장한다.

기존의 반도체 기술이 10나노 이하에서 기술적 한계를 드러냄에 따라 D램의 고집적성, 플래시메모리의 비휘발성, S램의 고속 동작을 모두 구현할 수 있는 차세대 메모리반도체로 P램, STT-M램, Re램이 주목받고 있다.
P램, STT-M램, Re램의 특허 출원을 합친 점유율은 국내 76%, 국외 24%로 국내 출원인이 절반 이상을 차지했다.
P램은 한국이 772건으로 93%를 차지했고 미국 32건으로 4%, 일본 16건으로 2%를 기록했으며, Re램도 한국이 234건으로 77%, 일본 32건으로 11%, 미국 24건으로 8%였다. STT-M램도 한국 183건으로 43%, 일본 147건으로 35%, 미국 78건으로 18%로 집계됐다.
국내기업은 삼성전자와 하이닉스, 외국기업은 일본의 도시바(Toshiba), 소니(Sony), 히타치(Hitachi), 후지쯔(Fujitsu), 미국의 퀄콤(Qualcomm), 마이크론(Micron), 그란디스(Grandis) 등이 다출원인으로 나타났다.
삼성전자와 하이닉스는 P램, STT-M램, Re램 모든 분야에서 특허 출원하고 있어 연구개발에도 지속적인 투자를 하고 있는 것으로 나타났다.
한편, 반도체는 2011년 상반기 수출액이 245억5000만달러로 2위를 기록했다. <황지혜 기자>