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삼성전자는 세계 최초로 3차원 TSV(Through Silicon Via) 적층 기술을 적용해 최대용량과 초절전 특성을 동시에 구현한 128GB 서버용(RDIMM) D램 모듈 양산에 들어갔다고 11월26일 발표했다.
TSV 기술은 D램 칩을 일반 종이 절반보다 얇게 깎은 다음 수백 개의 미세한 구멍을 뚫은 뒤 상단과 하단 칩 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술이다.
기존 와이어를 이용한 패키지보다 신호전송 특성이 우수할 뿐만 아니라 최적화된 칩 동작회로를 구성할 수 있어 빠른 동작속도와 낮은 소비전력을 동시에 구현할 수 있는 것으로 알려졌다.
삼성전자는 2014년 8월 TSV 기술로 64GB DDR(Double Data Rate)4 D램 모듈 양산에 성공하면서 3차원 D램 시장을 열었으며, 128GB TSV D램 모듈 양산으로 최대용량, 초고속, 초절전, 고신뢰성 등을 요구하는 차세대 엔터프라이즈 서버와 데이터 센터를 수요처로 확보할 계획이다.
128GB TSV D램 모듈은 64GB D램 모듈에 비해 용량 뿐만 아니라 속도도 2배 향상시켰고 소비전력량은 50% 줄일 수 있는 것으로 알려졌다.
삼성전자는 2015년 안에 TSV 기술을 적용한 128GB DDR4 LRDIMM(Load Reduced DIMM)도 양산에 돌입해 TSV 풀라인업을 완성할 계획이다.