화학뉴스

티씨케이(대표 신 히데오)가 반도체 소재 투자를 확대한다.
티씨케이는 2022년 안성에서 신규 공장부지 4만5000평방미터를 취득했으며 현재 부지를 조성하고 있는 것으로 알려졌다.
2026년 가동을 목표로 1000억원 상당을 투입해 주력제품 솔리드 SiC(탄화규소), SiC 코트 카본 등을 생산하는 공장을 건설할 예정이며 2023년 하반기 본격적인 공사에 착수할 것으로 예상되고 있다.
솔리드 SiC는 화학적 기상성장법(CVD)으로 알려진 성막기술로 제조하는 초고순도 SiC로 강도, 내식성이 우수하며 실리콘(Silicone) 웨이퍼 에칭공정에 사용되는 포커스링 소재로 투입돼 플라즈마 상태의 에칭가스가 웨이퍼에 집중되고 균일한 처리가 가능하게끔 돕는 역할을 하고 있다.
최근에는 반도체 적층화에 따라 에칭 횟수가 증가하고 플라즈마는 고출력화되면서 포커스링에 요구되는 성능이 높아짐에 따라 실리콘, 석영 대신 솔리드 SiC로 대체하는 수요가 급증하고 있다.
티씨케이 모회사인 일본 도카이카본(Tokai Carbon)은 글로벌 시장에서 포커스링 점유율 80%를 장악하고 있는 최대 메이저이다.
티씨케이는 솔리드 SiC를 포커스링 뿐만 아니라 반도체 제조장치 동작 확인에 사용하는 테스트 웨이퍼와 파워반도체용 SiC 웨이퍼에 에피택셜(단결정) 막을 형성하는 장치의 보호용 부품 등으로도 공급하고 있다.
SiC 코트 카본은 SiC를 피복한 흑연 부품으로 단결정 실리콘 잉곳 제조장치 부품이나 실리콘 웨이퍼를 올려놓는 서셉터 등에 투입되고 있다.
도카이카본은 현재 티씨케이의 기존 안성 공장과 일본 자회사 Tokai Fine Carbon의 지가사키(Chigasaki) 공장의 SiC 생산능력을 25% 확대하는 증설 투자를 진행하고 있다.
2024년 7월 완료를 목표로 약 500억원을 투자하고 있으며 티씨케이 신규 공장 건설까지 완료하면 그룹 전체 SiC 생산능력을 2022년 대비 1.5배 확대 가능할 것으로 예상된다.
티씨케이는 TaC(탄화탄탈럼)을 피복한 흑연 부품 TaC 코트 카본도 생산하고 있으며 2023년 말까지 생산능력을 3배 확대할 예정이다.
TaC는 SiC보다 내열성이 우수하며 섭씨 2000도 이상 고온에서 우수한 내식성을 발휘할 수 있어 전기자동차(EV)용 SiC 파워반도체를 타고 서셉터 및 보호용 부품용 수요가 증가하고 있다. (K)