화학뉴스

일본 도카이카본(Tokai Carbon)이 반도체 소재 분야에 진출한다.
도카이카본은 초고순도 SiC(실리콘카바이드)를 생산하는 화학적 기상증착법(CVD) 장치 사업장을 한국·일본·미국에서 가동하고 있으며, 세계 최대 다결정 SiC 생산능력을 갖추고 있다.
도카이카본은 최근 프랑스 반도체 웨이퍼 메이저 소이텍(Soitec)과 원반형 직경 6인치, 8인치 다결정 SiC 웨이퍼 공급계약을 체결했으며 앞으로 다결정 SiC 웨이퍼 시장이 확대될 것으로 예상하고 지가사키(Chigasaki) 사업장에 54억엔(약 475억5000만원)을 투입해 2024년 12월 완공을 목표로 전용라인을 건설할 계획이다.
도카이카본은 CVD 반도체 제조장치 분야에서 축적한 기술을 활용해 다결정 SiC 웨이퍼에 요구되는 전기특성 및 평면특성 강화기술을 확립한 것으로 알려졌다.
소이텍은 스마트폰 등 통신용 반도체에 주로 사용하는 고성능 SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼 메이저로 독자적인 가공기술을 활용해 제조하는 SiC 파워반도체 웨이퍼 공급을 위해 프랑스 남동부 그르노블(Grenoble) 교외 Bernin 지역에 2023년 전용 신규공장을 건설했다.
SiC 파워반도체는 주류인 Si 파워반도체 대비 고온, 고전압 환경에 대한 내구성과 전력변환효율이 우수해 인버터와 자동차 충전기 등의 고효율·소형화에 기여할 뿐만 아니라 전기자동차(EV)에 적용하면 1회 충전 항속거리를 5-10% 연장 가능할 것으로 기대돼 미국 테슬라(Tesla) 등 자동차기업에서 채용이 확대되고 있다. 
후지경제(Fuji Keizai)에 따르면, 글로벌 SiC 파워반도체 시장은 2035년 약 3조엔(약 26조4000억원)으로 2023년 대비 700% 이상 확대될 것으로 예상된다. (윤)