나리지*온, 갈륨비소 파운드리 시장 진출
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갈륨비소 파운드리(반도체칩 수탁가공) 기업으로 변신을 선언 한 나리지*온이 이동통신 및 광통신용 핵심부품 시제품 개발에 성공했다고 8월27일 밝혔다. 나리지*온이 개발한 파운드리용 시제품은 '초고속 광통신용 앰프'와 'CDMA.GSM 단말기용 파워앰프 소자'로 첨단 6인치 갈륨비소 InGaP HBT 소자기술을 이용한 것이 특징이다. 이동통신용 파워앰프 소자는 IT산업 침체에도 불구하고 2000년 4억5000만개에서 2003년에는 8억9000만개로 세계 시장 규모가 급신장할 것으로 예상되는 고부가가치 부품이지만 지금까지 국내에서는 통신·반도체 제조기술력 부족과 생산시설 미비로 막대한 외화를 들여 해외 파운드리 기업에 대부분의 생산을 의뢰해 왔다. 나리지*온은 7월 양산체제를 갖추고 애질런트 테크놀러지스와 공동으로 라이브러리(회로설계 기반) 환경을 구축한데 이어 시제품 개발에도 성공함으로써 파운드리 시장 진입을 위한 준비를 마치고 본격적인 고객 확보에 나설 예정이다. 한편, InGaP HBT란 파워 핸들링이 뛰어나고 칩 소형화가 가능하며 칩 수명을 기존 방식(AlGaAs HBT)에 비해 10배 이상 증가시킬 수 있어 최근 통신 단말기 등의 소형화 추세에 맞춰 세계 통신 부품 회사들이 앞 다퉈 개발을 추진중인 첨단 소자기술이다. <Chemical Daily News 2001/08/28> |
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