FRAM, 일본 추격에 국내기업 주춤
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특허청, 내국인 특허 출원 급감 … 삼성전자 19.5%에 Fujitsu 18.6% 강유전체 메모리(FRAM)소자 관련기술의 국내 특허 출원이 최근 주춤하고 있는 가운데, 외국인 특허 출원은 오히려 증가세를 보이고 있다.FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)소자는 강유전체 박막의 잔류 분극 현상을 이용해 정보를 저장하는 메모리로서 전원이 차단돼도 데이터를 보존할 수 있는 비휘발성과 고속성, 고집적성을 유지할 수 있어 PRAM, MRAM 등과 함께 DRAM과 플래시 메모리의 뒤를 이을 차세대 메모리로 주목받고 있다.
특허청에 따르면, FRAM소자 관련 국내 특허 출원은 1990년대 이후 꾸준히 증가해 2000-03년 매년 200여건 이상의 출원을 유지해왔으나, 2004년 128건, 2005년 116건으로 감소했다. 내국인은 2000년 132건(65.7%)에서 2005년 44건(32.9%)로 감소했으나, 외국인은 2000년 69건(34.3%)에서 2005년 72건(62.1%)으로 지속적으로 증가하고 있으며, 특히 일본의 출원이 주류를 이루고 있는 것으로 나타났다. 2005년 국내 삼성전자가 전체 특허의 19.5%를 출원했고 뒤를 이어 일본의 Fujitsu가 18.6%, 국내 하이닉스가 11%를 차지하고 있으며, 최근 외국인의 출원이 크게 증가하고 있는 가운데서도 삼성전자가 1위를 차지하고 있는 것으로 나타났다. FRAM소자는 강유전체 박막의 잔류분극 현상을 이용해 정보를 저장하는 메모리로 Capacitor에 PZT, SBT, BLT 등의 강유전체 재료를 사용하며 D램과 거의 동일한 구조와 동작 원리를 갖고 있다. FRAM소자는 고집적화가 가능하며, 정보의 쓰기, 소거가 고속이고, 기억이 비휘발성이며, 쓰기 횟수에 제한이 없고, 낮은 동작 전압으로 인해 소비전력이 낮아 높은 평가를 받고 있다. 또 PRAM, MRAM 등과 함께 휘발성인 D램의 한계와, 동작속도가 느린 플래시 메모리의 한계를 모두 극복할 수 있는 차세대 메모리 가운데 하나로 주목받고 있다. 표, 그래프: | FRAM소자 관련특허 출원동향 | <화학저널 2006/06/30> |
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