ASML, 첨단 노광기술로 차별화
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선폭 22나노미터 대응 신장치 개발 … 처리성능ㆍ정밀도 양립 가능 네덜란드의 반도체 장치 생산기업 ASML이 차세대 반도체 프로세스 대응기술로 차별화할 방침이다.ASML은 선폭 22나노미터에도 대응할 수 있는 신 플랫폼 장치를 개발하고 2009년부터 본격적으로 출하할 예정이다. Nikon이 압도적 우위를 차지하고 있는 일본 노광장치 시장에도 신개발 장치를 투입함으로써 1위를 탈환할 방침이다. 차세대 EUV(극자외선) 노광장치에 대해 적극적으로 대처하며 양산공장을 건설하고 있으며, 반도체경기 불황에도 불구하고 세계 시장점유율 70%를 목표로 제품기반을 확고히 정비하고 있다. 반도체 메이저들은 가격성능대비 뛰어난 선폭 45나노미터 이상의 첨단 디바이스를 양산하기 위해 노광을 2회로 나누어 시행하는 ArF 액침 2회노광 장치도입을 서두르고 있다. ASML은 신 플랫폼제품 <Twin Scan NXT>를 통해 노광장치의 높은 처리성능과 2회 노광을 위한 2중 정밀도를 양립할 수 있게 됐다. NXT는 웨이퍼 처리 대기시간 단축과 지지대 가속성능을 향상시켜 처리능력을 30% 개선했다. 웨이퍼 지지대 기구를 공기베어링 방식을 비롯해 자기부상방식에도 부가함으로써 운동성능을 향상시켰고, 자기방식은 진공상태에서 사용을 전제로 EUV 노광에서도 사용할 수 있을 것으로 기대되고 있다. ASML은 앞으로 웨이퍼 처리능력을 매시 134장에서 250장으로 2배 정도 늘릴 계획이다. 이에 따라 지지대의 소형화를 비롯해 부품을 탄소섬유 및 알루미늄 등으로 대체함으로써 66% 경량화하고 운전성능이 향상될 전망이다. 레티클 지지대의 가속도는 매초 150미터에 달하는 것으로 알려졌다. 2회노광 때 필수적인 2중 정밀도는 3나노미터에서 수년 후에는 2나노미터로 개선하고, NXT는 레이저로 지지대의 위치 측정법을 종횡 2방향에서 공기 및 열노이즈를 쉽게 받지 않는 평면 4방향으로 바꿔 그레이팅에 따라 위치를 정확하게 측정할 계획이다. 최고 수준의 가공이 요구되는 트랜지스터 기간부분(CDU)의 정밀도는 독자적인 컴퓨터 리소그래피와 같은 방식을 활용해 광원과 마스크를 최적화함으로써 패턴 정밀도를 3.5% 개선할 방침이다. ASML은 선폭 22나노미터까지는 액침 프로세스로 대응하지만 이후의 미세화에는 EUV 프로세스가 주를 이룬다. EUV는 아직 시험기(ADT) 단계이지만 이미 5사에서 주문을 완료한 상태이다. 본사 펠트호벤 공장 인접지에는 NXT와 EUV 장치를 양산할 신 공장을 건설하고 있으며 EUV 장치는 2010년부터 생산에 들어간다. EUV와 컴퓨터, 리소그래피 기술을 조합하면 선폭 11나노미터도 가능해 일본을 포함한 노광장치 시장점유율 70%를 달성할 방침이다. <화학저널 2008/10/29> |
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