하이닉스, 모바일용 4Gb D램 양산
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54나노 2Gb 기반으로 Intel 인증획득 … 사이즈 유지하고 용량은 2배로 하이닉스는 세계 최초로 54나노 2Gb 기반으로 개발한 4Gb 모바일 D램이 인텔(Intel) 모바일 인터넷 디바이스(MID)용 칩셋인 무어스타운 인증을 획득했다.
4Gb 모바일 D램은 2Gb 제품의 사이즈를 유지하면서 용량은 2배로 늘어난 것이 특징이다. 전력 소비는 2Gb 제품과 큰 차이가 없어 사용시간이 긴 모바일 인터넷 디바이스, 넷북, 휴대폰, 내비게이션 등의 모바일 애플리케이션 제품에 적합하다. 또 최대 400Mbps의 데이터 전송 속도를 구현하며, 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 1.6GB 가량의 데이터를 처리할 수 있다. 하이닉스는 3/4분기에 본격적으로 4Gb 모바일 D램의 양산에 들어갈 것으로 알려졌다. <고우리 기자> <화학저널 2009/8/10> |
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