세계최초 20나노 낸드플레시 양산
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삼성, 30나노보다 생산성 50% 높아 … 생산비중 높이고 용량은 확대 삼성전자가 세계 최초로 20나노급 공정 낸드플래시 메모리반도체의 양산에 들어갔다.삼성전자는 20나노급 공정 32Gb(기가비트) MLC(멀티레벨셀) 낸드플래시를 4월 셋째 주부터 양산하기 시작했다고 4월19일 발표했다. 20나노급 MLC 낸드플래시는 30나노급 MLC보다 생산성이 50% 가량 높다.
삼성은 양산에 들어간 20나노급 MLC 낸드플래시를 휴대용 디지털 장치에 쓰이는 메모리카드인 SD카드용으로 먼저 출시했다. 20나노급 낸드플래시 전용 컨트롤러를 탑재한 8GB(기가바이트) 이상의 SD 카드는 메모리카드 가운데 최고 쓰기 속도인 초당 10MB(메가바이트) 이상을 구현할 수 있다. 삼성전자는 앞으로 20나노급 낸드의 생산비중을 지속적으로 늘려 4GB부터 64GB 용량까지 제품군을 운용할 방침이다. 삼성전자 반도체사업부 메모리담당 조수인 사장은 “2010년 20나노급 낸드플래시로 스마트폰용 대용량, 고성능 프리미엄 내장 스토리지는 물론 고성능 메모리카드 시장을 선점해 플래시메모리 경쟁력을 높일 계획”이라고 말했다. <고우리 기자> <화학저널 2010/4/19> |
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