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삼성전자(대표 권오현)는 20나노 공정을 적용한 6Gb(기가비트) LPDDR3 모바일 D램을 본격 생산한다고 9월18일 발표했다.
컴퓨터용 20나노 4Gb DDR3 D램을 3월 상업화한 데 이어 모바일 D램까지 20나노 공정 적용에 성공하며 세계 최초로 20나노 D램 시대를 열었다.
신제품은 인터페이스 최고 속도인 초당 2133Mb로 데이터를 전송하며, 기존 25나노 모바일 D램에 비해 생산성이 30% 이상 개선된 것으로 알려졌다.
삼성전자 관계자는 “생산성이 높다는 것은 1개의 웨이퍼에서 더 많은 반도체 칩을 얻을 수 있다는 것”이라며 “더 얇고, 더 작고, 더 빠른 3GB(기가바이트) 솔루션을 제공할 수 있게 됐다”고 강조했다.
3GB제품은 6Gb 모바일 D램 칩 4개를 1개 패키지에 적층 하는 POP(Package on Package) 방식으로 제작되며 프리미엄급 고사양 스마트폰에 탑재된다.
삼성전자 메모리사업부 마케팅팀장 백지호 상무는 “20나노 모바일 D램은 시장 비중이 더욱 확대되고 있는 고성능 모바일 D램 시장을 선도해 나갈 것”이라며 “앞으로도 프리미엄 시장은 물론 보급형 모바일 시장까지 적용할 수 있는 차세대 솔루션을 출시해 사업 위상을 지속적으로 높여 나갈 것”이라고 강조했다.
삼성전자는 20나노 모바일 D램 라인업을 8Gb와 4Gb로 확대해 프리미엄 대용량 모바일 D램 시장을 선점할 방침인 것으로 알려졌다.