화학뉴스

삼성전자(대표 권오현)는 3월부터 20나노 4Gb DDR3(Double Data Rate 3) D램을 본격적으로 양산한다.
삼성전자는 독자기술과 기존 설비로 20나노 D램 미세화 기술의 한계를 넘어 최소형 4기가비트 D램 양산에 최초로 성공했다고 3월11일 발표했다.
20나노 D램은 25나노 D램에 비해 30%, 30나노 D램에 비해 2배 이상 생산성이 높은 것으로 알려졌다.
삼성전자 관계자는 “20나노 D램에는 개량형 이중포토 노광기술과 초미세 유전막 형성기술이 적용됐다”며 “개량형 이중포토 노광기술은 기존 포토 장비로 20나노 D램과 차세대 10나노급 D램까지 양산할 수 있는 기반기술”이라고 강조했다.
초미세 유전막은 셀 커패시터(Capacitor)의 유전막 물질을 기존 나노단위에서 옹스트롬(1/10 나노단위)으로 초미세 제어를 실시해 균일한 막을 만드는 기술이다.
20나노 DDR3 D램 모듈은 PC에서 25나노 D램과 비교할 때 소비전력을 25% 절감할 수 있는 것으로 알려졌다.
삼성전자 메모리사업부 전영현 전략마케팅팀장은 “저전력 20나노 D램은 PC에서 모바일 시장까지 빠르게 비중을 확대해 시장의 주력 제품이 될 것”이라며 “10나노 D램 개발에 주력할 것”이라고 말했다.