화학뉴스

삼성전자가 중국에 반도체 생산라인을 건설한다.
삼성전자는 낸드플래시 메모리 수요 증가에 대응하기 위해 중국에 반도체 생산라인을 건설하기로 결정했으며, 지식경제부에 해외 생산라인 건설을 위한 신청서를 제출했다고 12월6일 발표했다.
삼성전자는 “스마트폰, 태블릿PC 등의 급속한 성장으로 수요가 증가하고 있는 20나노급 이하 낸드플래시를 생산할 계획”이라며 “해외에서 반도체 생산라인을 건설하는 것은 미국 오스틴(Austin)에 이어 2번째”라고 밝혔다.
삼성전자의 중국 반도체 생산라인 건설은 낸드플래시를 채용하는 다양한 IT 기기의 중국 생산비중이 계속 증가하는 상황에서 현지생산 확대를 통해 수요에 대응하기 위한 것으로 해석된다.
삼성전자는 중국 지방정부와 건설 예정지 선정을 위한 협상을 시작할 방침이며, 정부의 승인과 중국과의 협상이 원만하게 진행되면 2012년부터 착공해 2013년 가동키로 목표를 세우고 있다.
삼성전자 DS사업총괄 메모리사업부 전동수 사장은 “반도체 생산라인 건설을 통해 글로벌 IT 기업의 수요 증가에 차질 없이 대응해 나가는 한편 메모리 시장에서 경쟁력을 더욱 강화할 것”이라고 기대했다.