화학뉴스

삼성전자가 9월12일 중국 Shanxi(陝西)성 Xian(西安)에서 낸드플래시를 생산하기 위한 반도체 공장 기공식을 가질 계획이다.
삼성전자의 해외 반도체 공장 건설은 1996년 미국 텍사스의 오스틴에 이어 2번째이다.
기공식에는 권오현 삼성전자 대표이사(부회장)를 비롯해 전동수 메모리사업 부사장, 장원기 중국삼성 사장 등 삼성 경영진과 중국정부 관계자 등이 참석할 예정이다.
삼성전자는 4월 Xian 반도체 공장 건설에 초기 출자자금 23억달러를 포함해 수년 동안 단계적으로 총 70억달러를 투자할 계획으로 삼성전자의 해외 반도체 생산라인 투자로는 최대 규모로 알려졌다.
Xian 공장은 2013년 말 시험가동에 들어가 2014년부터 10나노급 낸드플래시 생산에 본격 돌입할 예정이며, 생산능력은 300mm 웨이퍼 투입기준 월 7만-10만장 수준이 될 것으로 추정된다.
삼성전자가 Xian을 중국 진출의 거점으로 결정한데는 주변에 주요 수요기업과 글로벌 IT기업의 생산ㆍ연구 거점이 밀집돼 있고 우수 인력을 영입하는데도 유리하다는 판단이 작용한 것으로 알려졌다.
Xian은 중국 정부가 야심차게 추진하는 서부 대개발 정책의 전략적 요충지로 전기 및 용수 등 산업 인프라가 잘 갖추어져 있다는 평가를 받고 있다.