SK, 20나노급 4Gb D램 개발
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저전력에 초당 3.6GB 데이터 처리 … 4/4분기 양산 돌입
화학뉴스 2012.09.19
SK하이닉스(대표 권오철)가 9월19일 낮은 사용전력과 빠른 처리속도를 동시에 구현한 20나노급 4기가비트(Gb) 그래픽 DDR3 D램을 최초로 개발했다고 발표했다.
해당제품은 1.35V 동작전압에서 1.8Gbps 처리속도를 구현할 수 있어 16개의 정보입출구(I/O)를 통해 초당 3.6기가바이트(GB)의 데이터를 처리할 수 있으며, 최초로 1.5V 동작전압도 함께 지원해 2.0Gbps의 처리속도로 초당 4GB의 데이터 처리가 가능하다. 그래픽 D램은 PC나 게임기 등에서 영상을 처리하는데 사용되는 메모리칩으로 많은 용량의 데이터를 한꺼번에 처리하는 빠른 속도가 핵심이나 처리속도가 빨라질수록 소비전력이 증가하기 때문에 저전력에서는 빠른 처리속도를 구현하기가 어려웠다. SK하이닉스가 신규 개발제품은 저전력 노트북 PC에 적합한 1.35V의 동작전압을 구현하면서도 현재 데스크톱 PC 수준의 그래픽 성능을 제공할 수 있는 특성이 있다. 아울러 기존 30나노급 1.5V 제품대비 전력소모를 30% 이상 줄여 그래픽 메모리의 친환경 저전력 방향을 제시했다는 점에서 높은 평가를 받고 있다. SK하이닉스는 4/4분기부터 양산에 들어갈 계획이다. <화학저널 2012/09/19> |
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