화학뉴스

경희대학교 응용물리학과 최석호 교수 연구팀이 화학기상증착공법(CVD: Chemical Vapor Deposition)과 화학적 도핑공법을 이용해 세계 최초로 올(All) 그래핀(Graphene) 수직형 다이오드를 개발한 것으로 알려졌다.
그래핀의 실용화를 위한 핵심기술인 <그래핀 p-n 접합 다이오드> 개발에 성공했다.
연구팀은 그래핀을 p-n 접합할 때 도핑물질에 의해 중간층이 형성돼 터널링 다이오드가 형성되는 것을 알아냈고, 그래핀 p-n 다이오드가 비교적 낮은 전압인 10V 정도에서 스위칭 비율이 약 10³정도로 기존 그래핀 소자보다 구조와 성능이 훨씬 우수해 실용소자로서의 가능성이 크다는 사실을 입증했다고 밝혔다.
최석호 교수는 “그래핀만을 이용해 LED(Light Emitting Diode), 태양전지, 메모리 등 투명하고 휘어지는 광·전자나 디스플레이 기기에 적용할 그래핀 p-n 다이오드를 처음으로 개발한 것”이라며 “CVD를 이용해 대면적으로 제작해 그래핀의 상용화 가능성을 앞당겼다는 의의도 크다”고 강조했다.
연구팀의 성과를 담은 논문 <그래핀 p-n 수직형 터널링 다이오드>는 5월21일 나노 분야 국제학술지인 인터넷판에 게재됐다.
연구팀은 연구성과를 국내외에 특허로 출원했다고 밝혔다.