화학뉴스

삼성전자(대표 권오현)는 데이터 저장 효율을 크게 향상시킬 수 있는 3비트 기술을 적용한 3차원 수직구조 낸드플래시 메모리인 32단 3비트 V낸드를 처음 선보였다.
삼성전자는 8월5일(현지시간) 미국 산호세 산타클라라 컨벤션센터에서 개최된 플래시메모리 서밋 2014 행사에서 기존 평면구조의 3비트 낸드플래시보다 생산 효율이 2배 높은 3비트 V낸드를 공개했다.
트리플레벨셀(TLC)로 불리는 3비트 낸드플래시는 데이터 저장 최소 단위인 셀 하나에 3비트의 데이터를 저장해, 1비트나 2비트를 저장하는 싱글레벨셀(SLC), 멀티레벨셀(MLC)에 비해 저장효율이 2-3배 뛰어나다.
3비트 기술은 지금까지 평면구조 낸드플래시에만 적용됐으며 수직구조 V낸드에 적용된 것은 처음이다.
특히, 3비트 V낸드는 셀 적층 수가 32단으로 현재 주류를 이루는 24단 적층구조 V낸드에 비해 집적도가 30% 이상 높다.
이에 따라 3비트 V낸드는 기존 평면구조의 3비트 낸드플래시보다 생산성이 높을 뿐만 아니라 처리 속도도 2배 가량 향상됐고 전력 소모량은 40% 수준 절감할 수 있는 것으로 알려졌다.
삼성전자는 수평으로 배열하던 셀을 수직으로 쌓아 미세공정의 한계를 극복한 3차원 수직구조 V낸드 플래시메모리를 2013년부터 세계에서 유일하게 생산하고 있다.
 2014년 5월 적층구조를 개선한 2세대 32단 V낸드 생산을 시작했으며 32단 3비트 V낸드까지 개발함에 따라 낸드플래시 분야에서 독주체제를 강화할 것으로 예상된다.