화학뉴스

IBM이 7나노미터 공정으로 제작된 반도체 칩 프로토 타입을 7월9일 공개했다.
신규 프로토 타입은 IBM이 미국 뉴욕 정부 및 글로벌파운드리스(GF), 삼성전자, 뉴욕주립대(SUNY) 폴리테크닉 연구소 나노스케일과학공학대학 등과 협력해 개발한 것으로 현행 14나노미터 공정보다 2세대, 2016년 상용화 예정인 10나노미터 공정보다 1세대 앞선 <차차세대> 기술로 알려졌다.
개발 기술을 이용하면 손톱만한 면적에 200억개의 실리콘게르마늄(SiGe) 트랜지스터를 집적할 수 있으며,  성능은 현재 상용화된 최신기술인 14나노미터 공정 반도체의 약 4배가 된다.
IBM은 공정의 상용화 일정은 밝히지 않았다.
단일 트랜지스터는 2002년 IBM이 6나노미터, 2003년 NEC가 5나노미터짜리를 제작한 적이 있고, IBM이 2012년 탄소나노튜브 기반의 9나노미터 트랜지스터를 공개한 적도 있으나 단일 트랜지스터를 이용한 칩 개발 계획은 공개되지 않고 있는 상태이다.
IBM의 7나노미터 칩 개발은 2014년 발표한 반도체 투자계획의 일부로 IBM은 당시 5년 동안 30억달러 가량을 반도체 분야에 투자하겠다고 밝힌 바 있다.