화학뉴스

일본 레조낙(Resonac)이 파워반도체용 SiC(탄화규소) 에피텍셜 웨이퍼 생산을 확대한다.
레조낙은 매출을 2028년까지 2022년 대비 5배로 확대하기 위해  일본 정부의 반도체 공급 확보 계획 지원 아래 추진하고 있는 2027년 가동 예정인 증설투자에 그치지 않고 별개 프로젝트에도 투자를 확대해 제3세대 최신 그레이드 보급 뿐만 아니라 200밀리미터(8인치) 대구경화에 대비한 저결함 웨이퍼 기술 개발 고도화를 추진한다.
레조낙 SiC 사업은 뛰어난 기술력과 사업 모델이 강점으로 평가되며 기판 저결함 기술 및 에피텍셜층을 활용한 결함 무해화 기술 등을 살려 디바이스 제조기업에게 SiC 에피텍셜 웨이퍼를 공급하고 있다. 
레조낙은 일본 정부가 반도체 안정공급을 위해 실시하고 있는 지원을 받아 4개 공장에서 SiC 기판 및 에피텍셜 웨이퍼 생산능력을 확대할 계획이다.
최대 103억엔(약 926억원)을 지원받아 2027년 봄부터 가동이 가능할 예정이며 탑 메이저로서 공급안정에 기여하기 위해 추가로 별도의 투자계획을 추진할 방침이다. 
레조낙은 2023년부터 150밀리미터 3세대제품인 고전류밀도 대응 고스펙 SiC 에피텍셜 웨이퍼 양산을 개시했으며 저결함 기판과 신형구조 에피텍셜층을 채용했다. 
전류 고밀도화는 고출력과 공간 절약을 구현하고 코스트다운에도 기여할 것으로 기대된다. 
반도체 시장에서 확대될 전망인 고전류밀도 트렌드는 현재 기술로도 대응이 가능하기 때문에 3세대제품에 대한 거래문의는 파워반도체 발전에 달려있다.
레조낙은 제3세대제품 포함 200밀리미터 웨이퍼 샘플 공급을 추진하고 있으나 양산을 위해서는 결함을 150밀리미터 웨이퍼 수준으로 낮출 필요가 있으며 2030년까지 결함 기준을 달성해 200밀리미터 웨이퍼 전환을 선도하는데 주력할 방침이다. (Y)