화학뉴스

반도체 페리클도 EUV(극자외선) 기술에 대응하는 차세대 전환이 속도를 내고 있다.
미쓰이케미칼(Mitsui Chemicals)은 5월 말 반도체 포토마스크를 보호하는 박막 소재 페리클 차세대제품 생산설비 건설 계획을 발표했다.
최첨단 반도체 생산에 필수적인 EUV 노광장치에 대응하는 차세대 페리클 공급체제를 갖추어 수요에 대응하기 위해 이와쿠니 오타케((Iwakuni Otake) 공장에 생산능력 5000장 설비를 도입할 예정이다.
신규 설비는 2025년 12월 완공할 예정이며 투자액은 공개하지 않았다.
페리클은 반도체 웨이퍼에 회로를 그리는 노광공정에서 포토마스크에 먼지 등이 부착되는 것을 방치하며 미쓰이케미칼이 글로벌 시장점유율 1위를 차지하고 있다.
차세대 EUV 노광장치는 반도체 미세화 기술에 대응하기 위해 렌즈 개구수(NA)를 현행 0.33에서 0.55로 확대한 High-NA 노광기술을 채용하기 떄문에 페리클에도 가혹한 노광환경을 견딜 수 있는 품질이 요구된다.
미쓰이케미칼은 광투과성과 1kW 이상의 높은 광출력에 대한 내구성을 충족하기 위해 막 소재로 CNT(Carbon Nano Tube)를 사용한 차세대 신제품 개발을 추진했다.
2023년 12월에는 상용화에 대비해 세계 최대 반도체 연구기관 벨기에 아이멕(imec)과 전략적 파트너십을 체결한 바 있다.
미쓰이케미칼은 네덜란드 ASML과 라이선스 계약을 체결해 선구적으로 2021년 이와쿠니오타케 공장에서 EUV 페리클 상업 생산을 시작했다.
실리콘(Silicone)계 소재를 사용한 EUV 페리클과 CNT를 사용한 차세대 신제품으로 라인업을 확충했으며 반도체 미세화 기술의 발전에 따른 품질 니즈 고도화에 대응해 페리클 시장점유율을 확대할 계획이다. (윤)