세계 반도체 가동률 최저수준
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2001년 1/4분기 전세계 반도체 팹(웨이퍼 가공라인)의 가동률이 최근 2년내 최저치를 기록한 것으로 조사됐다. 미국 반도체산업협회(SIA)가 최근 발표한 통계자료에 따르면, 웨이퍼 가공라인의 1/4분기 가동률은 83.7％로 전분기의 92.8％에 비해 10％포인트 가량 하락한 것으로 것으로 나타났다. 반도체가 불황을 겪었던 1998년 3/4분기 당시의 가동률인 80.8％ 이후 가장 낮은 것이다. 국제반도체생산능력통계기구(SICAS) 보고서도 1/4분기 MOS(금속산화물 반도체) 라인의 가동률이 84.2％로 전분기의 93.4％에 비해 하락했으며, 바이폴라반도체 라인의 가동률도 전분기의 87.4％에서 79.6％로 떨어졌다고 밝혔다. 그러나 가동률 하락에도 불구하고 반도체 관련업계는 여전히 MOS 웨이퍼 가공용량을 더 늘리고 있어 문제의 심각성을 더하고 있다. 1/4분기 MOS회로 가공라인의 주당 생산량은 8인치 웨이퍼 기준으로 115만9000개에 달해 전분기의 115만5000개보다 오히려 늘었다. 반면, 바이폴라 반도체 웨이퍼 가공라인은 5인치 웨이퍼 기준으로 주당 29만8900개를 생산해 전분기에 비해 8％가량 줄어든 것으로 나타났다. 시장조사기관인 IC인사이츠는 전체 반도체 웨이퍼 가공라인의 가동률이 2/4분기에 80％ 정도로 하락할 것으로 전망했다. 가동률이 2/4분기 혹은 3/4분기까지 70％대까지 떨어져 1998년 불황 당시의 최저치를 경신할 것으로 예상했다. 그러나 반도체제품 출하량이 늘고 새로운 가공라인 증설이 둔화되면서 2001년말까지는 가동률이 80％ 후반대로 올라갈 것으로 예상했다. <Chemical Daily News 2001/05/29> |
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