동진쎄미켐, 씬너조성물 특허 취득!
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2002년 순이익 감소 … 반도체소자와 기판 제조시 생산수율 향상 가능 동진쎄미켐은 2002년 10월 포토레지스트 조성물에 관한 특허를 취득한데 이어 2003년 3월에는 스핀 온 글라스 및 감광성 수지 제거용 씬너 조성물에 대한 대만 특허를 취득했다.동진쎄미켐이 취득한 씬너조성물은 반도체 소자류 제조공정의 세정제거용 씬너 조성물인 프로필렌글리콜 모노알킬 에테르와 모노옥시카르본산 에스테르, 알킬 에타노에이트 및 알킬 락테이트를 혼합한 씬너 조성물로회전 도포공정 후 기판의 가장자리 에지 부분이나 후면부위의 불필요한 도포액을 신속하고 완벽하게 제거할 수 있어 반도체소자 제조시 생산수율을 향상시킬 수 있다. 또, 재사용이 필요한 기판의 경우에도 표면에 부착되어 있는 잔여물질을 완벽하게 제거하여 기판을 경제적으로 사용이 가능하게 하는 효과가 있다. 동진쎄미켐의 씬너조성물 관련 투자액은 5억원으로 타이완으로부터 특허를 취득한 것으로 알려졌다. 한편, 동진쎄미켐의 2002년 경상이익은 31억9500만원으로 2001년에 비해 53.5% 감소했으며 당기순이익은 전년대비 76.9% 줄어든 5억5400만원이다. 동진쎄미켐은 관련 산업 불황으로 인해 매출단가가 하락해 이익이 줄어들었다고 밝혔다. <황현혜 기자> <Chemical Journal 2003/03/27> |
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