일본의 GaAs(갈륨비소) 등 화합물 반도체재료의 94년 출하액이 31.0% 대폭 증가한 것으로 드러났다. 상반기에 23.0% 증가한 160억엔을 달성한 출하액은 하반기에 들어서 빠른 속도로 확대, 187억엔으로 39.0% 증가한 것으로 알려졌다. 특히 GaAs는 휴대용전화용 MMIC, 반도체레이저 (LD)용의 신장으로 하반기에 51% 증가한 90억엔을 기록했다. GaP (갈륨인)은 29% 증가한 85억엔으로 나타났다. 과거 최대의 신장률을 보인 GaAs는 이동체 통신용 디바이스의 호조에 따라 161억엔을 기록, 39% 큰폭 증가한 것으로 알려졌다. 표, 그래프 : | 일본의 화합물 반도체재료 출하현황 | <화학저널 1995/6/26> |
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