삼성전자, 최소형 1기가 D램 양산
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세계 최초 80나노 1GB DDR2 D램 양산 … 2008년 1G D램 주력제품 삼성전자가 최초로 80나노 공정을 적용한 1기가 DDR2 D램을 본격 양산한다고 8월29일 발표했다.삼성전자는 2004년 90나노 1기가 D램, 2006년 3월부터는 80나노 512메가 D램 양산을 최초로 시작한 바 있다.
특히, 1기가 D램에 80나노 공정을 적용하면 90나노 공정 대비 생산성이 50% 정도 향상돼 원가 경쟁력을 대폭 강화할 수 있다. 1기가 D램은 현재 양산되고 있는 D램 가운데 최대 용량의 제품으로 주로 차세대 서버용 4기가바이트 모듈 (FBDIMM: Fully Buffered Dual Inline Memory Module)과 노트북용 2기가바이트 모듈(SODIMM: Small Outline Dual Inline Memory Module) 등 대용량 메모리 모듈 제작에 사용되고 있다. 하지만, 기존 90나노 1기가 D램으로 4기가바이트 메모리모듈과 같은 대용량 모듈을 만들기 위해서는 D램 단품 2개를 적층해 모듈에 탑재해야 하는 등 공정이 비교적 복잡한 단점이 있었다. 삼성전자는 세계 최소형 80나노 1기가 D램은 칩 적층과 같이 복잡한 구조 대신 모듈 위에 단순히 2열로 배치할 수 있게 됨으로써 공정이 단순해지고, 제조비용도 대폭 절감할 수 있다고 설명했다. 삼성전자는 80나노급 제품으로는 유일하게 80나노 512메가 DDR2 단품 및 모듈에 대해 인텔 인증을 획득하는 등 기술의 우수성도 인정받고 있다. 시장조사기관 데이터퀘스트에 따르면, 세계 D램 시장규모는 2006년 287억달러에서 2008년 378억달러로 연평균 14%의 고성장이 예상되며, 1기가 D램이 차지하는 비중도 2006년 8% 수준에서 2008년에는 36%로 높아지면서 D램 시장의 주력제품으로 부상할 것으로 전망된다. <화학저널 2006/08/29> |
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