삼성ㆍ하이닉스, 반도체 공동 R&D
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테라비트급 차세대 메모리 원천기술개발 … 2년간 90억원 투자 협력 반도체 시장을 둘러싸고 치열하게 경쟁하고 있는 삼성전자와 하이닉스반도체가 차세대 메모리 소자 개발을 위해 공동 전선을 구축한다.산업자원부는 1월24일 삼성전자와 하이닉스가 테라비트급 차세대 메모리 소자 원천기술 개발에 공동 참여하기로 하고 한양대 종합기술원에서 공동 연구ㆍ개발(R&D) 협약식을 가졌다고 발표했다. 양사는 앞으로 2년간 90억원을 투자해 주기적 기술교류, 연구성과 교차평가 등을 통해 협력체제를 운영해나갈 계획이다. 테라비트(tbps)는 1조 비트에 해당되는 정보량으로, 테라비트급 메모리는 1만2500년분의 신문기사나 50만곡의 MP3파일 또는 1250편의 DVD 영화를 저장할 수 있는 용량이다. 근래 보기 드문 대기업간 협력이 성사된 데는 차세대 메모리 원천기술을 조기에 개발해 메모리시장을 재장악하려는 일본기업들의 움직임도 영향을 미쳤다. 일본은 Toshiba와 NEC, Fujitsu 등 3사의 주도로 2006년부터 차세대 메모리의 유력한 대안인 STT-MRAM(수직자기형 비휘발성 메모리) 개발에 30억엔을 투입하는 국가 R&D사업을 진행하고 있다. 삼성과 하이닉스는 공동 R&D와 함께 정부가 추진해온 차세대 테라비트급 비휘발성 메모리사업 1단계 프로그램 과정에서 나온 비휘발성 메모리(전원이 끊어져도 데이터가 없어지지 않는 메모리) 소자 및 제조방법, 고집적 비휘발성 메모리용 상변화 재료 등 모두 8건의 특허도 구매했다. 양사의 공동 개발사업에 대해 산자부는 “1990년대 64메가 D램 개발 당시 국내업계간 협력체제가 부활될 것으로 기대된다”고 밝혔다. 행사에는 산자부 김용근 산업정책본부장, 삼성전자 이원성 부사장, 하이닉스반도체 박성욱 부사장, 한양대 여홍구 부총장 등이 참석했다. <화학저널 2008/01/24> |
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