SK하이닉스, STT-M램 개발 적극화
일본 Toshiba와 손잡고 상용화 추진 … 2012년 2000억원 투자 계획
화학뉴스 2012.05.10
SK하이닉스는 2015년 STT-M램(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory)의 실용화를 위해 Toshiba와 공동연구에 박차를 가하고 있다.
2011년 반도체 매출 세계 3위인 Toshiba와 8위 SK하이닉스가 연합해 차세대 메모리를 재빠르게 상용화하는 것으로 사업 확대를 가속화할 방침이다. SK하이닉스와 Toshiba는 2011년 7월 M램(Magnetic Random Access Memory) 공동개발에 합의하고 이천에 연구소를 설립한 후 양사의 기술자를 집결해 연구ㆍ개발에 돌입한 것으로 알려졌다. STT-M램은 저소비 전지로 판독 속도가 빠르다는 특징을 보유하고 있어 10나노미터 이하의 초미세 프로세스로 회로집적이 가능한 차세대 메모리로 주목받고 있다. 다만, 최근에는 D램과 낸드플래시의 보급과 함께 가격이 하락함으로써 연구ㆍ개발 코스트를 절감하고 있고 5월4일 Toshiba와 공동으로 추진해오던 엘피다메모리(Elpida Memory) 인수를 포기함으로써 STT-M램의 시장 출시시기가 더 늦어질 것으로 예상되고 있다. 그러나 2011년 SK그룹이 하이닉스를 인수한 뒤 SK하이닉스로 회사명을 변경하면서 그룹 성장의 주축으로 설정해 일정 연구예산을 확보하고 있어 사업 확대에 박차를 가하고 있다. STT-M램 외에도 자동차기업과 공동으로 자동차용 메모리 개발에 나서 자동차용 반도체를 핵심사업으로 육성할 방침이다. SK하이닉스는 2011년 매출 10조원 가운데 2000억원을 반도체 연구개발에 투자했다. <안경진 기자> <화학저널 2012/05/10> |
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