화학뉴스

국내연구진이 20년 동안 세계 물리학자들이 풀지 못했던 전도성 플래스틱의 성능 저하 원인을 밝혀냈다.
교육과학기술부는 이광희 광주과학기술원 신소재공학부 이광희 교수팀이 전도성 플래스틱 물질의 전기 전도도가 떨어지는 원인을 규명하는데 성공했다고 9월19일 발표했다.
전도성 플래스틱 물질은 전기가 잘 통하면서 플래스틱처럼 가볍고 유연한 물질로 광학재료, OLED(Organic Light Emitting Diode), 접을 수 있는 디스플레이, 인공피부 등 다양한 분야에서 두루 활용될 수 있다.
하지만, 전도성 플래스틱은 전기 전도도가 금속의 1% 수준에 그쳐 고성능 미래형 전자소자로 사용되기에는 한계점이 많았으며, 전기 전도도가 낮아지는 원인을 두고 20년 동안 <고분자 사슬 사이의 경계>를 주장하는 학자와 <그레인 경계>를 이유로 든 학자 사이의 논쟁이 이어져 왔다.
이광희 교수팀은 널리 사용하는 전도성 플래스틱 PEDOT:PSS에 다양한 용매처리를 통해 전도도가 낮아지는 원인을 명확히 밝혀냈다.
또 전도성 플래스틱에 DMSO(Dimethylsulfoxide)와 EG(Ethylene Glycol)을 더하거나 담금 처리해 전기 전도도를 저하하는 요소가 고분자 사슬 사이의 상호작용에 있다는 사실을 확인했다.
이에 따라 20년 동안 플래스틱 전도 성능 저하의 원인을 두고 학자들이 벌인 논쟁에 종지부가 찍혔으며 금속처럼 전기가 잘 통하는 차세대 고성능 플래스틱 전자소자 개발에도 한걸음 다가서게 됐다.
이광희 교수는 “연구성과로 유연하고 가벼운 고성능 미래형 플래스틱 전자소자의 구현을 앞당길 수 있을 것”이라고 기대했다.
이광희 교수팀의 연구성과는 권위 있는 물리학 학술지 9월7일자에 게재됐다.