화학뉴스

일본 도시바(Toshiba)와 타이완 TSMC가 차세대 반도체 양산을 앞두고 있다.
도시바는 프로세스 미세화를 위해 EUV(Extreme Ultraviolet) 리소그래피 도입을 서두름과 동시에 신규 인터페이스 개발 등을 통해 고부가가치화하고 있으며, TSMC도 2015년 양산을 목표로 선폭 10nm의 3차원 로직IC를 개발하는 등 프로세스 미세화에 박차를 가하고 있다.
도시바는 EUV 리소그래피 기술을 실현하기 위해 EIDEC(EUVL Infrastructure Development Center) 등과 공동으로 양산기반을 구축하고 있다.
450mm의 대구경 웨이퍼는 반도체 생산성을 향상시킬 수 있는 반면 300mm 프로세스에 비해 코스트경쟁력이 떨어지기 때문에 300mm 프로세스의 생산효율을 가능한 높여 450mm 프로세스 도입을 최대한 늦출 방침이다.
플래시메모리는 최근 공급과잉의 영향으로 단가가 하락하고 있어 통신기능을 부가한 고기능제품을 공급하고 있는 가운데 플래시메모리를 M램(Magnetic Random Access Memory)과 조합함으로써 처리속도를 향상시키는 등 다양한 차별제품을 개발하고 있다.
또 플래시메모리의 특성을 끌어올리기 위해 새로운 인터페이스를 개발할 계획이다.
로직도 반도체 프로세스의 미세화가 급속도로 진행되고 있다.
TSMC는 선폭 16nm FinFET를 2013년 하반기부터 출하할 예정이며, 10nm FinFET도 2015년 양산할 방침이다.
이종 칩을 실리콘 인터포저(Silicon Interposer)를 사용해 집적한 CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate) 프로세스는 2013년 적용 가능할 것으로 기대하고 있다.
CoWoS는 3차원 실장에 사용되는 실리콘 관통전극(TSV: Through Silicon Via) 기술을 채용하고 있어 입출력(I/O) 개선 및 저소비전력화가 가능한 것으로 알려졌다.