화학뉴스

삼성전자(대표 권오현)가 세계 최초로 3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND) 플래시 메모리 양산에 들어갔다고 8월6일 밝혔다.
낸드플래시 메모리는 전원이 꺼져도 데이터가 저장돼 스마트폰의 저장장치로 사용되기도 한다.
삼성전자의 독자적인 3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀 구조와 3차원 수직적층 공정 기술이 적용돼 기존 20나노미터급 대비 집적도가 2배 이상이며 용량은 최대인 128GB이다.
기존 낸드플래시 메모리는 40년 전 개발된 단층 셀 구조로 이루어짐으로써 10나노급 공정 도입으로 셀 간격이 좁아져 전기가 누설되는 등 미세화 기술이 한계에 도달한 상태이다.
삼성전자는 단층으로 배열된 셀을 수직으로 쌓아올리는 구조 및 공정 혁신을 통해 이 문제를 해결했다.
3차원 원통형 CTF 셀은 전하를 부도체에 저장해 상하 셀 사이의 간섭을 억제하고, 쓰기 속도는 2배 이상 빨라지며, 셀 수명은 최대 10배 이상 향상되고 소비전력은 절반으로 줄일 수 있다.
3차원 수직적층 공정은 작은 면적의 칩에 최고 집적도를 실현했고, 높은 단과 낮은 단을 연결하는 에칭(Etching) 기술과 수직 셀을 만드는 게이트 패턴(Gate Pattern) 기술 등이 적용됐다.
삼성전자는 반도체 기술의 한계를 뛰어넘어 앞으로 1TB(테라비트) 이상 대용량 낸드플래시 생산을 가능하게 하는 새로운 기술 패러다임을 제시한 것으로 평가되고 있다.
삼성전자는 10년에 걸친 연구를 통해 개발과 양산에 성공했으며 300여건 이상의 특허를 한국·미국·일본 등 세계 각국에 출원한 상태이다.